SQM100P10-19L_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQM100P10-19L_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQM100P10-19L_GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Descrição Detalhada:
P-Channel 100 V 93A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventário:

1702 Pcs Novo Original Em Estoque
13059792
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SQM100P10-19L_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
93A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14100 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SQM100

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SQM100P10-19L_GE3CT
SQM100P10-19L_GE3-ND
SQM100P10-19L_GE3TR
SQM100P10-19L GE3
SQM100P10-19L_GE3DKR
Pacote padrão
800

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay

SISH434DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK

vishay

SI4038DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO

vishay

SQ3460EV-T1_GE3

MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

vishay

SI4010DY-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO