Número do Produto do Fabricante:
SIRA16DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIRA16DP-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 16A (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
13006951
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIRA16DP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2060 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIRA16
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SQP60N06-15_GE3
MOSFET N-CH 60V 56A TO220AB
SIHP8N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
SIHF10N40D-E3
MOSFET N-CH 400V 10A TO220
