SIRA02DP-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIRA02DP-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIRA02DP-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventário:

7498 Pcs Novo Original Em Estoque
13060264
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SIRA02DP-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6150 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIRA02

Folha de Dados & Documentos

Desenhos do produto
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SIRA02DP-T1-GE3DKR
SIRA02DP-T1-GE3TR
SIRA02DP-T1-GE3CT
SIRA02DPT1GE3
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay

SQA442EJ-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 9A PPAK SC70-6

vishay

SI7758DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

vishay

SI1413EDH-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

vishay

SI7860ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8