Número do Produto do Fabricante:
SIB408DK-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIB408DK-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 7A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventário:
13007716
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIB408DK-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
350 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-75-6
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-75-6
Número do produto base
SIB408
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIB408DK-T1-GE3TR
SIB408DKT1GE3
SIB408DK-T1-GE3CT
SIB408DK-T1-GE3DKR
SIB408DK-T1-GE3-ND
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SQM70060EL_GE3
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
SIHG73N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
SUD42N03-3M9P-GE3
MOSFET N-CH 30V 42A TO252
