Número do Produto do Fabricante:
SI7882DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI7882DP-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 12 V 13A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
13059214
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SI7882DP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 17A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.9W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SI7882
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI7882DPT1GE3
SI7882DP-T1-GE3TR
SI7882DP-T1-GE3CT
SI7882DP-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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