SI7104DN-T1-E3

Número do Produto do Fabricante:

SI7104DN-T1-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI7104DN-T1-E3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Descrição Detalhada:

N-Channel 12 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventário:

RFQ Online

13058583

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SI7104DN-T1-E3 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Vishay

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Série

TrenchFET®

Empacotamento

Tape & Reel (TR)

Status da peça

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

12 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V

vgs(th) (máx) @ id

1.8V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

70 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±12V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2800 pF @ 6 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

PowerPAK® 1212-8

Pacote / Estojo

PowerPAK® 1212-8

Número do produto base

SI7104

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

SI7104DN-T1-E3-DG

Informação Adicional

Pacote padrão

3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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