Número do Produto do Fabricante:
SI4666DY-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI4666DY-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 16.5A 8SO
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 16.5A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventário:
13054439
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SI4666DY-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1145 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SI4666
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SI4666DY-T1-GE3CT
SI4666DY-T1-GE3TR
SI4666DY-T1-GE3DKR
SI4666DYT1GE3
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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