Número do Produto do Fabricante:
SI3475DV-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI3475DV-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Descrição Detalhada:
P-Channel 200 V 950mA (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventário:
13057239
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI3475DV-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
-
Empacotamento
Cut Tape (CT)
Status da peça
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
950mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.61Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
500 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP
Pacote / Estojo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número do produto base
SI3475
Informação Adicional
Outros nomes
SI3475DV-T1-GE3DKR
SI3475DV-T1-GE3CT
SI3475DV-T1-GE3TR
Q9162672
SI3475DVT1GE3
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI3437DV-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
14589
NÚMERO DA PEÇA
SI3437DV-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.28
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI7159DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
SI7450DP-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
IRFR9214TRL
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
