SI3433CDV-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI3433CDV-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI3433CDV-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 6A (Tc) 1.6W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Inventário:

9491 Pcs Novo Original Em Estoque
13059529
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SI3433CDV-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 5.2A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP
Pacote / Estojo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número do produto base
SI3433

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SI3433CDV-T1-GE3-ND
SI3433CDVT1GE3
SI3433CDV-T1-GE3DKR
SI3433CDV-T1-GE3CT
SI3433CDV-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay

SI2325DS-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3

vishay

SI1417EDH-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6

vishay

SI6467BDQ-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP

vishay

SI4348DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 8A 8SO