SUP85N02-03-E3
Número do Produto do Fabricante:

SUP85N02-03-E3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SUP85N02-03-E3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 85A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventário:

12919276
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SUP85N02-03-E3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 30A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
450mV @ 2mA (Min)
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
21250 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
SUP85

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Folhas de dados

Informação Adicional

Pacote padrão
500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SIR468DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHFS11N50A-GE3

MOSFET N-CH 500V 11A TO263

vishay-siliconix

SQM50N04-4M1_GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO263

nexperia

BUK7Y3R5-40E,115

MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56