SUP60061EL-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SUP60061EL-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SUP60061EL-GE3-DG

Descrição:

P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
Descrição Detalhada:
P-Channel 80 V 150A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventário:

13 Pcs Novo Original Em Estoque
12958844
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SUP60061EL-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Bulk
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
218 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9600 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
742-SUP60061EL-GE3
Pacote padrão
500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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