Número do Produto do Fabricante:
SUP40P10-43-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SUP40P10-43-GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
Descrição Detalhada:
P-Channel 100 V 36A (Tc) 2W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
12920426
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SUP40P10-43-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4600 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
SUP40
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRF5210PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
6302
NÚMERO DA PEÇA
IRF5210PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.00
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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