Número do Produto do Fabricante:
SUP25P10-138-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SUP25P10-138-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 16.3A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 16.3A (Tc) 3.1W (Ta), 73.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
12916054
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SUP25P10-138-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
16.3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.8mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2100 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta), 73.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
SUP25
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFB4610PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
936
NÚMERO DA PEÇA
IRFB4610PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.89
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
HUF75645P3
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1488
NÚMERO DA PEÇA
HUF75645P3-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.15
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IPP12CN10LGXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
886
NÚMERO DA PEÇA
IPP12CN10LGXKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.73
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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