Número do Produto do Fabricante:
SUD70090E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SUD70090E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
12920615
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SUD70090E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Bulk
Série
ThunderFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1950 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
SUD70090
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK33S10N1Z,LQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1940
NÚMERO DA PEÇA
TK33S10N1Z,LQ-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.59
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI2327DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
SI8465DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
SQ2361ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
