Número do Produto do Fabricante:
SUD35N10-26P-BE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SUD35N10-26P-BE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
1835 Pcs Novo Original Em Estoque
12939484
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SUD35N10-26P-BE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Ta), 35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 12 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
8.3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
SUD35
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
742-SUD35N10-26P-BE3TR
742-SUD35N10-26P-BE3DKR
742-SUD35N10-26P-BE3CT
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
RSS090N03FRATB
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
SIHD14N60E-BE3
MOSFET N-CH 600V 13A TO252AA
RQK0609CQDQS#H1
MOSFET N-CH 60V 4A UPAK
