SUD19N20-90-BE3
Número do Produto do Fabricante:

SUD19N20-90-BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SUD19N20-90-BE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventário:

12939470
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SUD19N20-90-BE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
SUD19

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
742-SUD19N20-90-BE3TR
Pacote padrão
2,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
SUD19N20-90-E3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3073
NÚMERO DA PEÇA
SUD19N20-90-E3-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.18
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SQ4850EY-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

rohm-semi

RTQ025P02HZGTR

MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6

vishay-siliconix

SQ3427AEEV-T1_BE3

MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP

vishay-siliconix

SQS484EN-T1_BE3

MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8