SQUN702E-T1_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQUN702E-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQUN702E-T1_GE3-DG

Descrição:

MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 40V, 200V 30A (Tc), 20A (Tc) 48W (Tc), 60W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank Die

Inventário:

12787519
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SQUN702E-T1_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
N and P-Channel, Common Drain
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40V, 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 20V, 14nC @ 20V, 30.2nC @ 100V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1474pF @ 20V, 1450pF @ 20V, 1302pF @ 100V
Potência - Máx.
48W (Tc), 60W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount, Wettable Flank
Pacote / Estojo
Die
Pacote de dispositivos do fornecedor
Die
Número do produto base
SQUN702

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
SQUN702E-T1_GE3DKR
SQUN702E-T1_GE3CT
SQUN702E-T1_GE3TR
Pacote padrão
2,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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