SQS944ENW-T1_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQS944ENW-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQS944ENW-T1_GE3-DG

Descrição:

MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 40V 6A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8W Dual

Inventário:

12918507
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SQS944ENW-T1_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
615pF @ 25V
Potência - Máx.
27.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount, Wettable Flank
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8W Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8W Dual
Número do produto base
SQS944

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SQS944ENW-T1_GE3TR
SQS944ENW-T1_GE3CT
SQS944ENW-T1_GE3DKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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