Número do Produto do Fabricante:
SQS660CENW-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQS660CENW-T1_GE3-DG
Descrição:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 18A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
Inventário:
3967 Pcs Novo Original Em Estoque
12954772
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SQS660CENW-T1_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.2mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1950 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8W
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8W
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
742-SQS660CENW-T1_GE3TR
742-SQS660CENW-T1_GE3CT
742-SQS660CENW-T1_GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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