SQS460CENW-T1_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQS460CENW-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQS460CENW-T1_GE3-DG

Descrição:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 8A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W

Inventário:

50 Pcs Novo Original Em Estoque
12991422
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SQS460CENW-T1_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
580 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
27W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8W
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8W
Número do produto base
SQS460

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
742-SQS460CENW-T1_GE3CT
742-SQS460CENW-T1_GE3DKR
742-SQS460CENW-T1_GE3TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
utd-semiconductor

SI2307A

30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A

utd-semiconductor

AO3416A

20V 6.5A [email protected],6.5A 1.4W 1.1

utd-semiconductor

2N65G

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS

utd-semiconductor

SI2305A

20V 4.2A [email protected],4.2A 1.38W 50