Número do Produto do Fabricante:
SQM40022EM_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQM40022EM_GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 150A TO263-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 150A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventário:
12916276
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SQM40022EM_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.63mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9200 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263-7
Pacote / Estojo
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número do produto base
SQM40022
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SQM40022EM_GE3CT
SQM40022EM_GE3TR
SQM40022EM_GE3DKR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPB180N04S302ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2
NÚMERO DA PEÇA
IPB180N04S302ATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.37
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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