Número do Produto do Fabricante:
SQM120P10_10M1LGE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQM120P10_10M1LGE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Descrição Detalhada:
P-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
12787180
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SQM120P10_10M1LGE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.1mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SQM120
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SQM120P10_10M1LGE3-DG
SQM120P10 10M1LGE3
SQM120P10_10M1LGE3TR
SQM120P10_10M1LGE3DKR
SQM120P10_10M1LGE3CT
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFA130N10T2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IXFA130N10T2-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.41
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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