SQJQ936E-T1_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQJQ936E-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQJQ936E-T1_GE3-DG

Descrição:

MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 40V 100A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual

Inventário:

13001836
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SQJQ936E-T1_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
113nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6600pF @ 25V
Potência - Máx.
75W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Número do produto base
SQJQ936

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
742-SQJQ936E-T1_GE3DKR
742-SQJQ936E-T1_GE3CT
742-SQJQ936E-T1_GE3TR
Pacote padrão
2,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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