Número do Produto do Fabricante:
SQJA64EP-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQJA64EP-T1_GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 15A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
8950 Pcs Novo Original Em Estoque
12920267
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SQJA64EP-T1_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
670 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
45W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SQJA64
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SQJA64EP-T1_GE3DKR
SQJA64EP-T1_GE3TR
SQJA64EP-T1_GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIHP22N60S-E3
MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
SIR680DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 100A PPAK SO-8
SIJA58ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
