Número do Produto do Fabricante:
SQJ941EP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQJ941EP-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO8
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 8A 55W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventário:
12965634
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SQJ941EP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1800pF @ 10V
Potência - Máx.
55W
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8 Dual
Número do produto base
SQJ941
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SQJ951EP-T1_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5965
NÚMERO DA PEÇA
SQJ951EP-T1_GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.53
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
UT6KB5TCR
MOSFET 2N-CH 40V 5A HUML2020L8
SQJ200EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8
SI4948BEY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC