Número do Produto do Fabricante:
SQJ914EP-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQJ914EP-T1_GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 30A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventário:
12500 Pcs Novo Original Em Estoque
12917830
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SQJ914EP-T1_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1110pF @ 15V
Potência - Máx.
27W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8 Dual
Número do produto base
SQJ914
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SQJ914EP-T1_GE3DKR
SQJ914EP-T1_GE3TR
SQJ914EP-T1_GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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