Número do Produto do Fabricante:
SQJ860EP-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQJ860EP-T1_GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
12919484
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SQJ860EP-T1_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
48W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SQJ860
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
742-SQJ860EP-T1_GE3DKR
SQJ860EP-T1_GE3CT
742-SQJ860EP-T1_GE3CT
SQJ860EP-T1_GE3DKR
SQJ860EP-T1_GE3TR
SQJ860EP-T1_GE3TR-DG
742-SQJ860EP-T1_GE3TR
SQJ860EP-T1_GE3CT-DG
SQJ860EP-T1_GE3DKR-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI7120ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
PSMN6R1-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
SUM60030E-GE3
MOSFET N-CH 80V 120A TO263
