SQJ858AEP-T1_BE3
Número do Produto do Fabricante:

SQJ858AEP-T1_BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQJ858AEP-T1_BE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventário:

3000 Pcs Novo Original Em Estoque
12954625
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SQJ858AEP-T1_BE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2450 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
48W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SQJ858

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
742-SQJ858AEP-T1_BE3DKR
742-SQJ858AEP-T1_BE3TR
742-SQJ858AEP-T1_BE3CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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