Número do Produto do Fabricante:
SQJ414EP-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQJ414EP-T1_GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
12918457
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SQJ414EP-T1_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1110 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
45W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SQJ414
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SQJ414EP-T1_GE3DKR
SQJ414EP-T1_GE3TR
SQJ414EP-T1_GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SQJ414EP-T1_BE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
17929
NÚMERO DA PEÇA
SQJ414EP-T1_BE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.28
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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