Número do Produto do Fabricante:
SQJ211ELP-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQJ211ELP-T1_GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
P-Channel 100 V 33.6A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
496 Pcs Novo Original Em Estoque
12978051
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SQJ211ELP-T1_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
33.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3800 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
68W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SQJ211
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
742-SQJ211ELP-T1_GE3CT
742-SQJ211ELP-T1_GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
MCB200N06YA-TP
N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
STB15810
N-channel 800 V, 0.300 Ohm typ.,
IRFL210TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
