Número do Produto do Fabricante:
SQJ184EP-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQJ184EP-T1_GE3-DG
Descrição:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 118A (Tc) 234W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
2958 Pcs Novo Original Em Estoque
12989653
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SQJ184EP-T1_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
118A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3478 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
234W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
742-SQJ184EP-T1_GE3DKR
742-SQJ184EP-T1_GE3TR
742-SQJ184EP-T1_GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIHB080N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
IRF840HPBF
POWER MOSFET TO220AB, 850 M @ 10
TK065U65Z,RQ
DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
