Número do Produto do Fabricante:
SQD50P03-07_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQD50P03-07_GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
12915940
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SQD50P03-07_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5490 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
136W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
SQD50
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SQD50P03-07_GE3-DG
SQD50P03-07_GE3TR
SQD50P03-07_GE3CT
SQD50P03-07_GE3DKR
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SUP80090E-GE3
MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
SI7137DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
SI7456CDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8