SQD45P03-12_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQD45P03-12_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQD45P03-12_GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventário:

9475 Pcs Novo Original Em Estoque
12919417
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SQD45P03-12_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3495 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
71W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
SQD45

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SQD45P03-12-GE3-DG
SQD45P03-12_GE3TR
SQD45P03-12_GE3DKR
SQD45P03-12-GE3
SQD45P03-12_GE3-DG
SQD45P03-12_GE3CT
Pacote padrão
2,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SI7858ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQJA60EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SUD40N02-08-E3

MOSFET N-CH 20V 40A TO252

vishay-siliconix

SUM60N10-17-E3

MOSFET N-CH 100V 60A TO263