SQ4917EY-T1_BE3
Número do Produto do Fabricante:

SQ4917EY-T1_BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQ4917EY-T1_BE3-DG

Descrição:

MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventário:

22333 Pcs Novo Original Em Estoque
12939240
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SQ4917EY-T1_BE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1910pF @ 30V
Potência - Máx.
5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Número do produto base
SQ4917

Folha de Dados & Documentos

Informação Adicional

Outros nomes
SQ4917EY-T1 BE3
742-SQ4917EY-T1_BE3DKR
742-SQ4917EY-T1_BE3CT
742-SQ4917EY-T1_BE3TR
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
SQ4917CEY-T1_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3785
NÚMERO DA PEÇA
SQ4917CEY-T1_GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.43
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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