SQ4153EY-T1_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQ4153EY-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQ4153EY-T1_GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Descrição Detalhada:
P-Channel 12 V 25A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventário:

560 Pcs Novo Original Em Estoque
12953891
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SQ4153EY-T1_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.32mOhm @ 14A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
900mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
151 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11000 pF @ 6 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
7.1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
SQ4153

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SQ4153EY-T1_GE3DKR
SQ4153EY-T1_GE3TR
SQ4153EY-T1_GE3CT
SQ4153EY-T1_GE3-DG
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
SQ4153EY-T1_BE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
474
NÚMERO DA PEÇA
SQ4153EY-T1_BE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.55
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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