Número do Produto do Fabricante:
SQ2361AEES-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQ2361AEES-T1_GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 2.8A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount
Inventário:
69168 Pcs Novo Original Em Estoque
12786746
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SQ2361AEES-T1_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Last Time Buy
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
620 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TA)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
SQ2361
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SQ2361AEES-T1_GE3DKR
SQ2361AEES-T1-GE3
SQ2361AEES-T1_GE3-DG
SQ2361AEES-T1_GE3TR
SQ2361AEES-T1_GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SQ2361AEES-T1_BE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5051
NÚMERO DA PEÇA
SQ2361AEES-T1_BE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.17
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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