Número do Produto do Fabricante:
SQ2301ES-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQ2301ES-T1_GE3-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 3.9A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount TO-236 (SOT-23)
Inventário:
6870 Pcs Novo Original Em Estoque
12786214
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SQ2301ES-T1_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2.8A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
425 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TA)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-236 (SOT-23)
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
SQ2301
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
742-SQ2301ES-T1_GE3DKR
742-SQ2301ES-T1_GE3CT
SQ2301ES-T1_GE3CT
742-SQ2301ES-T1_GE3TR
SQ2301ES-T1_GE3TR
SQ2301ES-T1_GE3TR-DG
SQ2301ES-T1_GE3CT-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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