Número do Produto do Fabricante:
SIZF918DT-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIZF918DT-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 30V 23A (Ta), 40A (Tc), 35A (Ta), 60A (Tc) 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 3.7W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Inventário:
6000 Pcs Novo Original Em Estoque
12917910
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SIZF918DT-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual), Schottky
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
23A (Ta), 40A (Tc), 35A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 250µA, 2.3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V, 56nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1060pF @ 15V, 2650pF @ 15V
Potência - Máx.
3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 3.7W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-PowerWDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PowerPair® (6x5)
Número do produto base
SIZF918
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIZF918DT-T1-GE3-DG
742-SIZF918DT-T1-GE3TR
742-SIZF918DT-T1-GE3CT
742-SIZF918DT-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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