Número do Produto do Fabricante:
SIZ322DT-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIZ322DT-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 25V 30A (Tc) 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Inventário:
8740 Pcs Novo Original Em Estoque
12917974
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SIZ322DT-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.35mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20.1nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
950pF @ 12.5V
Potência - Máx.
16.7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-PowerWDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-Power33 (3x3)
Número do produto base
SIZ322
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIZ322DT-T1-GE3DKR
SIZ322DT-T1-GE3CT
SIZ322DT-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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