SIZ256DT-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIZ256DT-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIZ256DT-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET 2N-CH 70V 11.5A 8PWRPAIR
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 70V 11.5A (Ta), 31.8A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)

Inventário:

3000 Pcs Novo Original Em Estoque
12948273
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SIZ256DT-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
70V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11.5A (Ta), 31.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.6mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1060pF @ 35V
Potência - Máx.
4.3W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-PowerWDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PowerPair® (3.3x3.3)
Número do produto base
SIZ256

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
742-SIZ256DT-T1-GE3DKR
742-SIZ256DT-T1-GE3TR
742-SIZ256DT-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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