Número do Produto do Fabricante:
SISS70DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SISS70DN-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 125 V 8.5A (Ta), 31A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventário:
12920169
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SISS70DN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
125 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 31A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29.8mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
535 pF @ 62.5 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8S
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8S
Número do produto base
SISS70
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SISS70DN-T1-GE3CT
SISS70DN-T1-GE3TR
SISS70DN-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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