Número do Produto do Fabricante:
SISS66DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SISS66DN-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 49.1A (Ta), 178.3A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventário:
5690 Pcs Novo Original Em Estoque
12916977
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ENVIAR
SISS66DN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
49.1A (Ta), 178.3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.38mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
85.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3327 pF @ 15 V
Recurso FET
Schottky Diode (Body)
Dissipação de energia (máx.)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8S
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8S
Número do produto base
SISS66
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SISS66DN-T1-GE3TR
742-SISS66DN-T1-GE3TR
SISS66DN-T1-GE3CT
742-SISS66DN-T1-GE3CT
SISS66DN-T1-GE3DKR-DG
SISS66DN-T1-GE3DKR
SISS66DN-T1-GE3TR-DG
SISS66DN-T1-GE3CT-DG
2266-SISS66DN-T1-GE3TR
742-SISS66DN-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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