Número do Produto do Fabricante:
SISHA10DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SISHA10DN-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 25A/30A PPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 25A (Ta), 30A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventário:
12920149
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SISHA10DN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Ta), 30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2425 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.6W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8SH
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8SH
Número do produto base
SISHA10
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2266-SISHA10DN-T1-GE3TR
SISHA10DN-T1-GE3CT
SISHA10DN-T1-GE3DKR
SISHA10DN-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SI3127DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
SIE800DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK
SI9435BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
