Número do Produto do Fabricante:
SISH892BDN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SISH892BDN-T1-GE3-DG
Descrição:
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 6.8A (Ta), 20A (Tc) 3.4W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Inventário:
1081 Pcs Novo Original Em Estoque
12990167
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SISH892BDN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.8A (Ta), 20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
26.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1110 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.4W (Ta), 29W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8DC
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
742-SISH892BDN-T1-GE3DKR
742-SISH892BDN-T1-GE3TR
742-SISH892BDN-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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