Número do Produto do Fabricante:
SISH410DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SISH410DN-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 22A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventário:
2190 Pcs Novo Original Em Estoque
12917570
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SISH410DN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
22A (Ta), 35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1600 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8SH
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8SH
Número do produto base
SISH410
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SISH410DN-T1-GE3TR
SISH410DN-T1-GE3CT
SISH410DN-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SUP85N03-3M6P-GE3
MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
SIHF6N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
SIE812DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK
