SISB46DN-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SISB46DN-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SISB46DN-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 40V 34A (Tc) 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

Inventário:

8024 Pcs Novo Original Em Estoque
12917456
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SISB46DN-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.71mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100pF @ 20V
Potência - Máx.
23W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8 Dual
Número do produto base
SISB46

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SISB46DN-T1-GE3CT
SISB46DN-T1-GE3DKR
SISB46DN-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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