Número do Produto do Fabricante:
SIS990DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIS990DN-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 100V 12.1A 25W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Inventário:
13827 Pcs Novo Original Em Estoque
12921796
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SIS990DN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250pF @ 50V
Potência - Máx.
25W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8 Dual
Número do produto base
SIS990
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIS990DN-T1-GE3TR
SIS990DN-T1-GE3DKR
SIS990DN-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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