Número do Produto do Fabricante:
SIS612EDNT-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIS612EDNT-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8S
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventário:
12786535
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SIS612EDNT-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 14A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2060 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8S
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8S
Número do produto base
SIS612
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SIS612EDNT-T1-GE3-DG
SIS612EDNT-T1-GE3CT
SIS612EDNT-T1-GE3TR
SIS612EDNT-T1-GE3DKR
Q8619879
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SISA26DN-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5682
NÚMERO DA PEÇA
SISA26DN-T1-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.25
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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