Número do Produto do Fabricante:
SIS176LDN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIS176LDN-T1-GE3-DG
Descrição:
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Descrição Detalhada:
N-Channel 70 V 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventário:
19887 Pcs Novo Original Em Estoque
12950360
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIS176LDN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
70 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
3.3V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.9mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.6V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1660 pF @ 35 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.6W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
742-SIS176LDN-T1-GE3TR
742-SIS176LDN-T1-GE3DKR
742-SIS176LDN-T1-GE3CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIR510DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
SISH536DN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
SIHP080N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
