Número do Produto do Fabricante:
SIS106DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIS106DN-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 9.8A (Ta), 16A (Tc) 3.2W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventário:
4890 Pcs Novo Original Em Estoque
12787419
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SIS106DN-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.8A (Ta), 16A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.5mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
540 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.2W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® 1212-8
Número do produto base
SIS106
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SIS106DN-T1-GE3CT
SIS106DN-T1-GE3TR
SIS106DN-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SIS472ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
SQJ443EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
SUM90N06-5M5P-E3
MOSFET N-CH 60V 90A TO263
